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立昂微:拥有015um功率管等集成单芯片技术低轨卫星通信芯片已大批量出货

2026-01-17  

  有投资者在互动平台向立昂微提问:“你好董秘,请问公司在地面通信、卫星本体和火箭发射上均有什么产品布局?公司这类产品在行业中的技术水平处于什么位置?”

  针对上述提问,立昂微回应称:“尊敬的投资者:您好,感谢您对本公司的关注。立昂东芯拥有行业内首个将栅长0.15um的功率管、低嗓声晶体管、PN二极管、E/D逻辑及射频开关集成于单芯片的商业化以及可量产工艺技术,该技术融合了独立优化的栅长为0.15um的Emode低噪声pHEMT与0.15um Dmode功率pHEMT,实现同芯片内业界性能领先的功率放大器和低噪声放大器。该技术以及其它多种0.15、0.25um的 GaAs pHEMT工艺技术和GaN HEMT工艺技术,既可应用于卫星的通信领域,也可应用于地面通信终端通信。目前应用于低轨卫星通信芯片已实现大批量出货,应用于地面通信终端的芯片已通过客户验证,谢谢。”

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