在互动平台回答投资者提问时表示，立昂东芯拥有行业内首个将栅长0.15um的功率管、低噪声晶体管、PN二极管、E/D逻辑及射频开关集成于单芯片的商业化以及可量产工艺技术，该技术融合了独立优化的栅长为0.15um的Emode低噪声pHEMT与0.15umDmode功率pHEMT，实现同芯片内业界性能领先的功率放大器和低噪声放大器。该技术以及其它多种0.15、0.25um的GaAspHEMT工艺技术和GaNHEMT工艺技术，既可应用于卫星的通信领域，也可应用于地面通信终端通信。目前应用于低轨卫星通信芯片已实现大批量出货，应用于地面通信终端的芯片已通过客户验证。开云kaiyun
立昂微：低轨卫星通信芯片已实现大批量出货
2026-01-18
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